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Subcategorias

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  JFET

  JFET (Junction field Effect Transistor) – O transistor de junção com efeito de campo é um tipo unipolar de transistor. Este nome deriva do fato de que a maioria dos portadores de cargas fluindo através do Transistor são ou somente elétrons (corno no caso do transistor JFET com canal N) ou apenas lacunas (como no caso do transistor JFET com canal P).
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  MOSFET

  MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) - Os Transistores de Efeito de Campo MOS (Metal Oxide Semiconductor) são dispositivos derivados dos transistores de efeito de campo comuns, mas com algumas mudanças na sua estrutura. No MOSFET temos uma fina camada de óxido de metal (que dá nome ao dispositivo) que isola o substrato da região de comporta, em lugar da junção encontrada no JFET.
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  NPN

  O transístor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN).
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  PNP

  O transístor PNP (lógica positiva) é formado por duas junções PN na sequência PN-NP. É formado por três cristais de silício, sendo dois P e um N (PNP) A tensão, no transistor PNP, é mais alta no emissor, média na base mais baixa no coletor. A polarização deste tipo de transistor é o contrário do NPN (lógica negativa).
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  PUT

  Um transistor de unijunção programável (PUT) é um componente eletrônico, participante da família dos transistores. Seu funcionamento é igual ao do UJT, porém se difere do mesmo em algumas características, como por exemplo: a tensão de disparo do PUT é programável, é mais rápido e mais sensível do que o UJT. O PUT pode ser utilizado em osciladores de baixa frequência, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados. Sua estrutura interna e constituída de Anodo, Catodo e Gate.