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Transistores PNP de média potência para comutação e drive com caixa metálica.
Especificações:
- Vcbo máx.: 60V;
- Vceo máx.: 40V;
- Ic máx.: 600mA;
- Ptot máx. (Tamb = 25ºC): 600mW;
- Tj máx.: 200ºC;
- Hfe (Ic=150mA, Vce=10V): 100-300;
- Ft mín. (Ic=50mA, f=100MHz): 200MHz;
- Ts máx. (Ics=150mA, Ib=Ibm=15mA): 80ns.